RJM0603JSC-00#12

निर्माता भाग संख्या:	RJM0603JSC-00#12
उत्पादक:	Renesas Electronics America
विवरण का हिस्सा:	MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
डाटा शीट:	RJM0603JSC-00#12 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	Automotive, AEC-Q101
पैकेज	Tray
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate, 4.5V Drive
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	60V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	20A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	20mOhm @ 10A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	43nC @ 10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	2600pF @ 10V
शक्ति - मैक्स	54W
परिचालन तापमान	175°C
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	20-HSOP

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