RJM0306JSP-01#J0

निर्माता भाग संख्या:	RJM0306JSP-01#J0
उत्पादक:	Renesas Electronics America
विवरण का हिस्सा:	MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.5A 8-SOP
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate, 4V Drive
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	3.5A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	65mOhm @ 2A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	5nC @ 10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	290pF @ 10V
शक्ति - मैक्स	2.2W
परिचालन तापमान	-
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-SOP

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