IJW120R070T1FKSA1

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N-Channel
वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी (बीआर) जीएसएस)	-
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1200 V
वर्तमान - नाली (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	3.3 µA @ 1200 V
वर्तमान नाली (आईडी) - मैक्स	35 A
वोल्टेज - कटऑफ (VGS बंद) @ आईडी	-
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	2000pF @ 19.5V (VGS)
प्रतिरोध - आरडीएस (ऑन)	70 mOhms
शक्ति - मैक्स	238 W
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	TO-247-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PG-TO247-3

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स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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लोकप्रिय मॉडल

	IJW120R100T1FKSA1 Rochester Electronics
	IJW120R070T1FKSA1 IR (Infineon Technologies)

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