IJW120R100T1FKSA1

निर्माता भाग संख्या:	IJW120R100T1FKSA1
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
डाटा शीट:	IJW120R100T1FKSA1 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N-Channel
वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी (बीआर) जीएसएस)	-
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1.2 V
वर्तमान - नाली (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	1.5 µA @ 1.2 V
वर्तमान नाली (आईडी) - मैक्स	26 A
वोल्टेज - कटऑफ (VGS बंद) @ आईडी	-
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	1550pF @ 19.5V (VGS)
प्रतिरोध - आरडीएस (ऑन)	100 mOhms
शक्ति - मैक्स	190 W
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	TO-247-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PG-TO247-3

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लोकप्रिय मॉडल

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