H11G3TM

निर्माता भाग संख्या:	H11G3TM
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	OPTOISO 7.5KV DARL W/BASE 6DIP
डाटा शीट:	H11G3TM डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Obsolete
चैनल की संख्या	1
वोल्टेज - अलगाव	7500Vpk
वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम)	200% @ 1mA
वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम)	-
चालू / बंद समय (टाइप) चालू करें	5µs, 100µs
उदय / पतन समय (टाइप)	-
निवेष का प्रकार	DC
उत्पादन का प्रकार	Darlington with Base
वोल्टेज - आउटपुट (अधिकतम)	55V
वर्तमान - आउटपुट / चैनल	-
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (टाइप)	1.3V
वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम)	60 mA
Vce संतृप्ति (अधिकतम)	1.2V
परिचालन तापमान	-40°C ~ 100°C
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	6-DIP (0.400", 10.16mm)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	6-DIP

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