H11G2M

निर्माता भाग संख्या:	H11G2M
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
डाटा शीट:	H11G2M डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
चैनल की संख्या	1
वोल्टेज - अलगाव	4170Vrms
वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम)	1000% @ 10mA
वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम)	-
चालू / बंद समय (टाइप) चालू करें	5µs, 100µs
उदय / पतन समय (टाइप)	-
निवेष का प्रकार	DC
उत्पादन का प्रकार	Darlington with Base
वोल्टेज - आउटपुट (अधिकतम)	80V
वर्तमान - आउटपुट / चैनल	-
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (टाइप)	1.3V
वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम)	60 mA
Vce संतृप्ति (अधिकतम)	1V
परिचालन तापमान	-40°C ~ 100°C
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	6-DIP (0.300", 7.62mm)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	6-DIP

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स्टॉक की अवस्था: 1749

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
1: $0.99000 10: $0.76813 100: $0.54839

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