DF23MR12W1M1B11BOMA1

निर्माता भाग संख्या:	DF23MR12W1M1B11BOMA1
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	EASYPACK MODUL MIT COOLSIC TRENC
डाटा शीट:	DF23MR12W1M1B11BOMA1 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	*
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Silicon Carbide (SiC)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1200V (1.2kV)
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	25A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	45mOhm @ 25A, 15V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	5.5V @ 10mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	620nC @ 15V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	2000pF @ 800V
शक्ति - मैक्स	20mW
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
पैकेज / मामला	Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	Module

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मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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