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IR (Infineon Technologies) / DF23MR12W1M1PB11BPSA1

DF23MR12W1M1PB11BPSA1

निर्माता भाग संख्या: DF23MR12W1M1PB11BPSA1
उत्पादक: IR (Infineon Technologies)
विवरण का हिस्सा: MOSFET MODULE 1200V
डाटा शीट: DF23MR12W1M1PB11BPSA1 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
एक्टिव-सेमी DF23MR12W1M1PB11BPSA1 chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।
सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखलाEasyPACK™
पैकेजTray
भाग की स्थितिActive
FET प्रकार2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचरSilicon Carbide (SiC)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली1200V (1.2kV)
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस25A (Tj)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस45mOhm @ 25A, 15V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी5.55V @ 10mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs62nC @ 15V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds1840pF @ 800V
शक्ति - मैक्स20mW
परिचालन तापमान-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकारChassis Mount
पैकेज / मामलाModule
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजAG-EASY1B-2
विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 29

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

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एक्सप्रेस: ​​(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

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