CSD86336Q3DT

निर्माता भाग संख्या:	CSD86336Q3DT
उत्पादक:	Texas Instruments
विवरण का हिस्सा:	SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
डाटा शीट:	CSD86336Q3DT डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	NexFET™
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Half Bridge)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate, 5V Drive
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	25V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	20A (Ta)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
शक्ति - मैक्स	6W
परिचालन तापमान	-55°C ~ 125°C
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-PowerTDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-VSON (3.3x3.3)

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