CSD85312Q3E

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	NexFET™
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual) Common Source
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate, 5V Drive
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	39A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	12.4mOhm @ 10A, 8V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1.4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	15.2nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	2390pF @ 10V
शक्ति - मैक्स	2.5W
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-PowerVDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-VSON (3.3x3.3)

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