IXBH42N170A

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	BIMOSFET™
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
IGBT प्रकार	-
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	1700 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	42 A
वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)	265 A
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	6V @ 15V, 21A
शक्ति - मैक्स	357 W
स्विचिंग एनर्जी	3.43mJ (on), 430µJ (off)
निवेष का प्रकार	Standard
गेट प्रभारी	188 nC
टीडी (पर / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस	19ns/200ns
परीक्षण स्थिति	850V, 21A, 1Ohm, 15V
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)	330 ns
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	TO-247-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-247AD (IXBH)

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