IXBH10N170

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	BIMOSFET™
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
IGBT प्रकार	-
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	1700 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	20 A
वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)	40 A
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	3.8V @ 15V, 10A
शक्ति - मैक्स	140 W
स्विचिंग एनर्जी	6mJ (off)
निवेष का प्रकार	Standard
गेट प्रभारी	30 nC
टीडी (पर / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस	35ns/500ns
परीक्षण स्थिति	1360V, 10A, 56Ohm, 15V
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)	360 ns
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	TO-247-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-247AD (IXBH)

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