IRLH6224TRPBF

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	HEXFET®
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	20 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	28A (Ta), 105A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	2.5V, 4.5V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	3mOhm @ 20A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1.1V @ 50µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	86 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±12V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	3.71 pF @ 10 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	3.6W (Ta), 52W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-PQFN (5x6)
पैकेज / मामला	8-PowerTDFN

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स्टॉक की अवस्था: 7660

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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