IRLH7134TRPBF

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	HEXFET®
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	40 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	26A (Ta), 50A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	-
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	3.3mOhm @ 50A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.5V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	58 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम)	±16V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	3720 pF @ 25 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	3.6W (Ta), 104W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PG-TDSON-8-10
पैकेज / मामला	8-PowerVDFN

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न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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