NTBG020N120SC1

निर्माता भाग संख्या:	NTBG020N120SC1
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
डाटा शीट:	NTBG020N120SC1 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1200 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	8.6A (Ta), 98A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	20V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	28mOhm @ 60A, 20V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	4.3V @ 20mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	220 nC @ 20 V
वीजीएस (अधिकतम)	+25V, -15V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	2943 pF @ 800 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	3.7W (Ta), 468W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	D2PAK-7
पैकेज / मामला	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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