NTBG020N090SC1

निर्माता भाग संख्या:	NTBG020N090SC1
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
डाटा शीट:	NTBG020N090SC1 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	900 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	9.8A (Ta), 112A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	15V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	28mOhm @ 60A, 15V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	4.3V @ 20mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	200 nC @ 15 V
वीजीएस (अधिकतम)	+19V, -10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	4415 pF @ 450 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	3.7W (Ta), 477W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	D2PAK-7
पैकेज / मामला	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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