BSC014N06NSATMA1

टिप्पणी: एक्टिव-सेमी BSC014N06NSATMA1 chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।

सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	OptiMOS™
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	60 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	30A (Ta), 100A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	6V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	1.45mOhm @ 50A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.8V @ 120µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	89 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	6500 pF @ 30 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	2.5W (Ta), 156W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PG-TDSON-8-17
पैकेज / मामला	8-PowerTDFN

विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 32996

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

लोकप्रिय मॉडल

	BSC029N025SG Rochester Electronics
	BSC0503NSIATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC032N04LSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC026N08NS5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC050N03LSGXT Rochester Electronics
	BSC0802LSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC067N06LS3 Rochester Electronics
	BSC050N04LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC016N03MSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC019N02KSGAUMA1 IR (Infineon Technologies)

यह आइटम आपके कार्ट में जोड़ा गया है।