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Rochester Electronics / BSC029N025SG

BSC029N025SG

निर्माता भाग संख्या: BSC029N025SG
उत्पादक: Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा: N-CHANNEL POWER MOSFET
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
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package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखला*
पैकेजBulk
भाग की स्थितिActive
FET प्रकार-
प्रौद्योगिकी-
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली-
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस-
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)-
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs-
वीजीएस (अधिकतम)-
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds-
फ़ीचर फ़ीचर-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)-
परिचालन तापमान-
माउन्टिंग का प्रकार-
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज-
पैकेज / मामला-
विकल्प खरीदना

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