APTRG8A120G

निर्माता भाग संख्या:	APTRG8A120G
उत्पादक:	Microsemi
विवरण का हिस्सा:	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DL IGBT
डाटा शीट:	APTRG8A120G डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
विन्यास को प्रेरित किया	Half-Bridge
चैनल प्रकार	Independent
ड्राइवरों की संख्या	2
गेट प्रकार	IGBT
वोल्टेज आपूर्ति	14.5V ~ 15.5V
तर्क वोल्टेज - VIL, VIH	0.8V, 2V
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)	8A, 8A
निवेष का प्रकार	Non-Inverting
उच्च पक्ष वोल्टेज - अधिकतम (बूटस्ट्रैप)	1200 V
उदय / पतन समय (टाइप)	-
परिचालन तापमान	-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार	-
पैकेज / मामला	-
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	-

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