1SD312F2-MG900GXH1US53

निर्माता भाग संख्या:	1SD312F2-MG900GXH1US53
उत्पादक:	Power Integrations
विवरण का हिस्सा:	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
डाटा शीट:	1SD312F2-MG900GXH1US53 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	SCALE™-1
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
विन्यास को प्रेरित किया	Half-Bridge
चैनल प्रकार	Single
ड्राइवरों की संख्या	1
गेट प्रकार	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
वोल्टेज आपूर्ति	15.5V ~ 16.8V
तर्क वोल्टेज - VIL, VIH	-
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)	12A, 12A
निवेष का प्रकार	-
उच्च पक्ष वोल्टेज - अधिकतम (बूटस्ट्रैप)	-
उदय / पतन समय (टाइप)	100ns, 100ns
परिचालन तापमान	-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
पैकेज / मामला	Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	Module

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