IXS839BQ2

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Obsolete
विन्यास को प्रेरित किया	Half-Bridge
चैनल प्रकार	Synchronous
ड्राइवरों की संख्या	2
गेट प्रकार	N-Channel MOSFET
वोल्टेज आपूर्ति	4.5V ~ 5.5V
तर्क वोल्टेज - VIL, VIH	0.8V, 2V
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)	2A, 4A
निवेष का प्रकार	Non-Inverting
उच्च पक्ष वोल्टेज - अधिकतम (बूटस्ट्रैप)	24 V
उदय / पतन समय (टाइप)	20ns, 15ns
परिचालन तापमान	-40°C ~ 125°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	10-VFDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	10-QFN (3x3)

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