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IR (Infineon Technologies) / T660N22TOFPRXOSA1

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T660N22TOFPRXOSA1

निर्माता भाग संख्या: T660N22TOFPRXOSA1
उत्पादक: IR (Infineon Technologies)
विवरण का हिस्सा: DIODE BG-T5726K-1
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
एक्टिव-सेमी T660N22TOFPRXOSA1 chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।
सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखला-
पैकेजTray
भाग की स्थितिObsolete
संरचनाSingle
एससीआर, डायोड की संख्या1 SCR
वोल्टेज - ऑफ स्टेट2.2 kV
वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (मैक्स)660 A
वर्तमान - राज्य पर (यह (RMS)) (अधिकतम)1500 A
वोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम)2.2 V
वर्तमान - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम)250 mA
वर्तमान - नॉन रेप। सर्ज 50, 60 हर्ट्ज (इसका)13000A @ 50Hz
वर्तमान - होल्ड (Ih) (अधिकतम)300 mA
परिचालन तापमान-40°C ~ 125°C
माउन्टिंग का प्रकारChassis Mount
पैकेज / मामलाTO-200AB, A-PUK
विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: ​​(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

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