VS-GB50TP120N

निर्माता भाग संख्या:	VS-GB50TP120N
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
विवरण का हिस्सा:	IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK
डाटा शीट:	VS-GB50TP120N डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
IGBT प्रकार	-
विन्यास	Half Bridge
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	1200 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	100 A
शक्ति - मैक्स	446 W
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	2.15V @ 15V, 50A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)	5 mA
इनपुट क्षमता (Cies) @ Vce	4.29 nF @ 25 V
इनपुट	Standard
एनटीसी थर्मिस्टर	No
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
पैकेज / मामला	INT-A-PAK (3 + 4)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	INT-A-PAK

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