MII100-12A3

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
IGBT प्रकार	NPT
विन्यास	Half Bridge
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	1200 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	135 A
शक्ति - मैक्स	560 W
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	2.7V @ 15V, 75A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)	5 mA
इनपुट क्षमता (Cies) @ Vce	5.5 nF @ 25 V
इनपुट	Standard
एनटीसी थर्मिस्टर	No
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
पैकेज / मामला	Y4-M5
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	Y4-M5

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