FAM65HR51DS2

निर्माता भाग संख्या:	FAM65HR51DS2
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	IGBT MODULE 650V 33A 135W
डाटा शीट:	FAM65HR51DS2 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
IGBT प्रकार	-
विन्यास	Half Bridge Inverter
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	650 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	33 A
शक्ति - मैक्स	135 W
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	-
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)	-
इनपुट क्षमता (Cies) @ Vce	4.86 nF @ 400 V
इनपुट	Standard
एनटीसी थर्मिस्टर	No
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	-
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	-

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लोकप्रिय मॉडल

	FAM65HR51DS2 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
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