FPF2C110BI07AS2

निर्माता भाग संख्या:	FPF2C110BI07AS2
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
डाटा शीट:	FPF2C110BI07AS2 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tray
भाग की स्थिति	Active
IGBT प्रकार	-
विन्यास	Half Bridge
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	650 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	40 A
शक्ति - मैक्स	300 W
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	2.3V @ 15V, 40A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)	250 µA
इनपुट क्षमता (Cies) @ Vce	-
इनपुट	Standard
एनटीसी थर्मिस्टर	Yes
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	30-DIP Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	F2

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मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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