19MT050XF

निर्माता भाग संख्या:	19MT050XF
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
विवरण का हिस्सा:	MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
डाटा शीट:	19MT050XF डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	HEXFET®
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	4 N-Channel (H-Bridge)
फ़ीचर फ़ीचर	Standard
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	500V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	31A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	220mOhm @ 19A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	6V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	160nC @ 10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	7210pF @ 25V
शक्ति - मैक्स	1140W
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
पैकेज / मामला	16-MTP Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	16-MTP

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