NTMFD1D4N02P1E

निर्माता भाग संख्या:	NTMFD1D4N02P1E
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	MOSFET N-CH 20V 8PQFN
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
फ़ीचर फ़ीचर	Standard
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	25V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2V @ 250µA, 2V @ 800µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
शक्ति - मैक्स	960mW (Ta), 1W (Ta)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-PowerWDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-PQFN (5x6)

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