RJK0216DPA-00#J53

निर्माता भाग संख्या:	RJK0216DPA-00#J53
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Half Bridge)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate, 4.5V Drive
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	25V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	15A, 32A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	9.2mOhm @ 7.5A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	6.2nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	1130pF @ 10V
शक्ति - मैक्स	10W, 20W
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-WFDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-DFN (5x6)

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