APTMC120HR11CT3AG

निर्माता भाग संख्या:	APTMC120HR11CT3AG
उत्पादक:	Roving Networks / Microchip Technology
विवरण का हिस्सा:	POWER MODULE - SIC MOSFET
डाटा शीट:	APTMC120HR11CT3AG डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	*
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Silicon Carbide (SiC)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1200V (1.2kV)
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	26A (Tc)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	98mOhm @ 20A, 20V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3V @ 5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	62nC @ 20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	950pF @ 1000V
शक्ति - मैक्स	125W
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
पैकेज / मामला	Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	SP3

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