APTSM120AM55CT1AG

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual), Schottky
फ़ीचर फ़ीचर	Silicon Carbide (SiC)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1200V (1.2kV)
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	74A (Tc)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	50mOhm @ 40A, 20V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3V @ 2mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	272nC @ 20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	5120pF @ 1000V
शक्ति - मैक्स	470W
परिचालन तापमान	-40°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
पैकेज / मामला	SP1
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	SP1

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मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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