APTM100H46FT3G

निर्माता भाग संख्या:	APTM100H46FT3G
उत्पादक:	Roving Networks / Microchip Technology
विवरण का हिस्सा:	MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
डाटा शीट:	APTM100H46FT3G डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	POWER MOS 8™
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	4 N-Channel (H-Bridge)
फ़ीचर फ़ीचर	Standard
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1000V (1kV)
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	19A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	552mOhm @ 16A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	5V @ 2.5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	260nC @ 10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	6800pF @ 25V
शक्ति - मैक्स	357W
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
पैकेज / मामला	SP3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	SP3

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