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                                    | निर्माता भाग संख्या: | APTM100H35FTG | 
| उत्पादक: | Roving Networks / Microchip Technology | 
| विवरण का हिस्सा: | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4 | 
| डाटा शीट: | APTM100H35FTG डाटा शीट | 
| लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: | लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी | 
| स्टॉक की स्थिति: | स्टॉक में | 
| भेजने का स्थान: | Hong Kong | 
| शिपमेंट रास्ता: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS | 

| प्रकार | विवरण | 
|---|---|
| श्रृंखला | - | 
| पैकेज | Bulk | 
| भाग की स्थिति | Active | 
| FET प्रकार | 4 N-Channel (H-Bridge) | 
| फ़ीचर फ़ीचर | Standard | 
| स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली | 1000V (1kV) | 
| वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 22A | 
| आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 420mOhm @ 11A, 10V | 
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी | 5V @ 2.5mA | 
| गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 186nC @ 10V | 
| इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 5200pF @ 25V | 
| शक्ति - मैक्स | 390W | 
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) | 
| माउन्टिंग का प्रकार | Chassis Mount | 
| पैकेज / मामला | SP4 | 
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | SP4 | 
स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग
न्यूनतम: 1
| मात्रा | यूनिट मूल्य | एक्सटेंशन कीमत | 
|---|---|---|
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