MSCSM120AM027CD3AG

निर्माता भाग संख्या:	MSCSM120AM027CD3AG
उत्पादक:	Roving Networks / Microchip Technology
विवरण का हिस्सा:	PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
डाटा शीट:	MSCSM120AM027CD3AG डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Box
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N Channel (Phase Leg)
फ़ीचर फ़ीचर	Silicon Carbide (SiC)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1200V (1.2kV)
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	733A (Tc)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	3.5mOhm @ 360A, 20V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.8V @ 9mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	2088nC @ 20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	27000pF @1000V
शक्ति - मैक्स	2.97kW (Tc)
परिचालन तापमान	-40°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
पैकेज / मामला	Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	D3

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न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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