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Microsemi / JAN2N7334

JAN2N7334

निर्माता भाग संख्या: JAN2N7334
उत्पादक: Microsemi
विवरण का हिस्सा: MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
डाटा शीट: JAN2N7334 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
एक्टिव-सेमी JAN2N7334 chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।
सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखलाMilitary, MIL-PRF-19500/597
पैकेजBulk
भाग की स्थितिActive
FET प्रकार4 N-Channel
फ़ीचर फ़ीचरStandard
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली100V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस1A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस700mOhm @ 600mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs60nC @ 10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds-
शक्ति - मैक्स1.4W
परिचालन तापमान-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकारThrough Hole
पैकेज / मामला14-DIP (0.300", 7.62mm)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजMO-036AB
विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

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