IRF6702M2DTR1PBF

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	HEXFET®
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	15A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	6.6mOhm @ 15A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.35V @ 25µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	14nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	1380pF @ 15V
शक्ति - मैक्स	2.7W
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	DirectFET™ Isometric MA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	DIRECTFET™ MA

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