FDPC1012S

निर्माता भाग संख्या:	FDPC1012S
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
डाटा शीट:	FDPC1012S डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
फ़ीचर फ़ीचर	Standard
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	25V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	8nC, 25nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
शक्ति - मैक्स	800mW (Ta), 900mW (Ta)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-PowerWDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	Powerclip-33

विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 8707

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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