APTC90AM60T1G

निर्माता भाग संख्या:	APTC90AM60T1G
उत्पादक:	Roving Networks / Microchip Technology
विवरण का हिस्सा:	MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1
डाटा शीट:	APTC90AM60T1G डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	CoolMOS™
पैकेज	Tray
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	2 N-Channel (Half Bridge)
फ़ीचर फ़ीचर	Super Junction
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	900V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	59A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	60mOhm @ 52A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3.5V @ 6mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	540nC @ 10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	13600pF @ 100V
शक्ति - मैक्स	462W
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
पैकेज / मामला	SP1
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	SP1

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