FMM110-015X2F

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Standard
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	150V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	53A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	20mOhm @ 55A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	4.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	150nC @ 10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	8600pF @ 25V
शक्ति - मैक्स	180W
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	i4-Pac™-5
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	ISOPLUS i4-PAC™

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