APTMC170AM30CT1AG

निर्माता भाग संख्या:	APTMC170AM30CT1AG
उत्पादक:	Roving Networks / Microchip Technology
विवरण का हिस्सा:	MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1
डाटा शीट:	APTMC170AM30CT1AG डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N Channel (Phase Leg)
फ़ीचर फ़ीचर	Silicon Carbide (SiC)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1700V (1.7kV)
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	100A (Tc)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	30mOhm @ 100A, 20V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.3V @ 5mA (Typ)
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	380nC @ 20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	6160pF @ 1000V
शक्ति - मैक्स	700W
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
पैकेज / मामला	SP1
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	SP1

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