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ROHM Semiconductor / BSM300D12P3E005

BSM300D12P3E005

निर्माता भाग संख्या: BSM300D12P3E005
उत्पादक: ROHM Semiconductor
विवरण का हिस्सा: SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
डाटा शीट: BSM300D12P3E005 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखला-
पैकेजBulk
भाग की स्थितिActive
FET प्रकार2 N-Channel (Half Bridge)
फ़ीचर फ़ीचरSilicon Carbide (SiC)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली1200V (1.2kV)
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस300A (Tc)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी5.6V @ 91mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs-
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds14000pF @ 10V
शक्ति - मैक्स1260W (Tc)
परिचालन तापमान-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकारChassis Mount
पैकेज / मामलाModule
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजModule
विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 9

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

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एक्सप्रेस: ​​(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

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