MQ2N5116

निर्माता भाग संख्या:	MQ2N5116
उत्पादक:	Roving Networks / Microchip Technology
विवरण का हिस्सा:	JFET P-CH 30V 0.5W TO18
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	Military, MIL-PRF-19500
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	P-Channel
वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी (बीआर) जीएसएस)	30 V
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30 V
वर्तमान - नाली (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	5 mA @ 15 V
वर्तमान नाली (आईडी) - मैक्स	-
वोल्टेज - कटऑफ (VGS बंद) @ आईडी	1 V @ 1 mA
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	27pF @ 15V
प्रतिरोध - आरडीएस (ऑन)	175 Ohms
शक्ति - मैक्स	500 mW
परिचालन तापमान	-65°C ~ 200°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-18

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लोकप्रिय मॉडल

	MQ2N5116 Roving Networks / Microchip Technology

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