2SJ01640RA

टिप्पणी: एक्टिव-सेमी 2SJ01640RA chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।

सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	P-Channel
वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी (बीआर) जीएसएस)	-
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	-
वर्तमान - नाली (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	600 µA @ 10 V
वर्तमान नाली (आईडी) - मैक्स	20 mA
वोल्टेज - कटऑफ (VGS बंद) @ आईडी	1.5 V @ 10 µA
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	10pF @ 10V
प्रतिरोध - आरडीएस (ऑन)	300 Ohms
शक्ति - मैक्स	300 mW
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	3-SSIP
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	NS-A1

विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

लोकप्रिय मॉडल

यह आइटम आपके कार्ट में जोड़ा गया है।