EC3A04B-3-TL-H

निर्माता भाग संख्या:	EC3A04B-3-TL-H
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3
डाटा शीट:	EC3A04B-3-TL-H डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N-Channel
वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी (बीआर) जीएसएस)	-
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30 V
वर्तमान - नाली (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	1.2 mA @ 10 V
वर्तमान नाली (आईडी) - मैक्स	10 mA
वोल्टेज - कटऑफ (VGS बंद) @ आईडी	180 mV @ 1 µA
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	4pF @ 10V
प्रतिरोध - आरडीएस (ऑन)	200 Ohms
शक्ति - मैक्स	100 mW
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	3-XFDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	3-ECSP1006

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