TF262TH-5-TL-H

निर्माता भाग संख्या:	TF262TH-5-TL-H
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	JFET N-CH 1MA 100MW
डाटा शीट:	TF262TH-5-TL-H डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N-Channel
वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी (बीआर) जीएसएस)	-
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	-
वर्तमान - नाली (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	210 µA @ 2 V
वर्तमान नाली (आईडी) - मैक्स	1 mA
वोल्टेज - कटऑफ (VGS बंद) @ आईडी	200 mV @ 1 µA
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	3.5pF @ 2V
प्रतिरोध - आरडीएस (ऑन)	-
शक्ति - मैक्स	100 mW
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	3-SMD, Flat Lead
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	VTFP

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लोकप्रिय मॉडल

	TF262TH-4-TL-H Rochester Electronics
	TF262TH-5-TL-H Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

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