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GeneSiC Semiconductor / MBR12035CTR

MBR12035CTR

निर्माता भाग संख्या: MBR12035CTR
उत्पादक: GeneSiC Semiconductor
विवरण का हिस्सा: DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER
डाटा शीट: MBR12035CTR डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखला-
पैकेजBulk
भाग की स्थितिActive
डायोड विन्यास1 Pair Common Anode
डायोड प्रकारSchottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (Vr) (अधिकतम)35 V
वर्तमान - औसत आयत (Io) (प्रति डायोड)120A (DC)
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (मैक्स) @ इफ650 mV @ 120 A
स्पीडFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)-
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर3 mA @ 20 V
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन-
माउन्टिंग का प्रकारChassis Mount
पैकेज / मामलाTwin Tower
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजTwin Tower
विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

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FedEx द्वारा यूएस $40।

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