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IR (Infineon Technologies) / IRD3CH9DB6

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IRD3CH9DB6

निर्माता भाग संख्या: IRD3CH9DB6
उत्पादक: IR (Infineon Technologies)
विवरण का हिस्सा: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE
डाटा शीट: IRD3CH9DB6 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
एक्टिव-सेमी IRD3CH9DB6 chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।
सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखला-
पैकेजBulk
भाग की स्थितिObsolete
डायोड प्रकारStandard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (Vr) (अधिकतम)1200 V
वर्तमान - औसत आयत (Io)10A
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (मैक्स) @ इफ2.7 V @ 10 A
स्पीडFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr)154 ns
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर200 nA @ 1200 V
क्षमता @ वीआर, एफ-
माउन्टिंग का प्रकारSurface Mount
पैकेज / मामलाDie
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजDie
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन-40°C ~ 150°C
विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: ​​(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

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