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| निर्माता भाग संख्या: | TRS10E65F,S1Q |
| उत्पादक: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| विवरण का हिस्सा: | DODE SCHOTTKY 650V TO220 |
| डाटा शीट: | TRS10E65F,S1Q डाटा शीट |
| लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: | लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी |
| स्टॉक की स्थिति: | स्टॉक में |
| भेजने का स्थान: | Hong Kong |
| शिपमेंट रास्ता: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |

| प्रकार | विवरण |
|---|---|
| श्रृंखला | - |
| पैकेज | Tube |
| भाग की स्थिति | Active |
| डायोड प्रकार | Silicon Carbide Schottky |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (Vr) (अधिकतम) | 650 V |
| वर्तमान - औसत आयत (Io) | 10A (DC) |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (मैक्स) @ इफ | 1.6 V @ 10 A |
| स्पीड | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| रिवर्स रिकवरी टाइम (trr) | 0 ns |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 50 µA @ 650 V |
| क्षमता @ वीआर, एफ | 36pF @ 650V, 1MHz |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| पैकेज / मामला | TO-220-2 |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | TO-220-2L |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | 175°C (Max) |
स्टॉक की अवस्था: 33
न्यूनतम: 1
| मात्रा | यूनिट मूल्य | एक्सटेंशन कीमत |
|---|---|---|
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ |
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FedEx द्वारा यूएस $40।
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