Microsemi / APTM100DA18CT1G
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APTM100DA18CT1G
| निर्माता भाग संख्या: | APTM100DA18CT1G |
| उत्पादक: | Microsemi |
| विवरण का हिस्सा: | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 |
| लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: | लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी |
| स्टॉक की स्थिति: | स्टॉक में |
| भेजने का स्थान: | Hong Kong |
| शिपमेंट रास्ता: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- टिप्पणी
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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।
विनिर्देश
| प्रकार | विवरण |
|---|---|
| श्रृंखला | POWER MOS 8™ |
| पैकेज | Bulk |
| भाग की स्थिति | Obsolete |
| FET प्रकार | N-Channel |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
| स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली | 1000 V |
| वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 40A (Tc) |
| ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर) | 10V |
| आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 216mOhm @ 33A, 10V |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी | 5V @ 2.5mA |
| गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 570 nC @ 10 V |
| वीजीएस (अधिकतम) | ±30V |
| इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 14800 pF @ 25 V |
| फ़ीचर फ़ीचर | - |
| बिजली अपव्यय (अधिकतम) | 657W (Tc) |
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Chassis Mount |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | SP1 |
| पैकेज / मामला | SP1 |
स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग
न्यूनतम: 1
| मात्रा | यूनिट मूल्य | एक्सटेंशन कीमत |
|---|---|---|
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ |
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FedEx द्वारा यूएस $40।
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