APTC80DA15T1G

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	800 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	28A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	150mOhm @ 14A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3.9V @ 2mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	180 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±30V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	4507 pF @ 25 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	277W (Tc)
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	SP1
पैकेज / मामला	SP1

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स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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